PhotoresistㆍThinnerㆍCMP SlurryㆍBottom Anti-reflective CoatingㆍHardmaskㆍPrecursorㆍMelamine Mold Cleaner

포토레지스트 (Photoresist)

포토레지스트란 특정한 파장의 빛에 반응, 화학적 변화를 일으킨 후 화학적 성질의 변화를 이용하여 특정한 선폭(패턴)을 전사할 수 있게 하는 구성물로서, 반도체 회로소자 제조 공정 중 Lithography 공정에 사용되는 핵심 재료입니다.

신너 (Thinner)

Semiconductor Thinner는 Photoresist Spin Coating 후 실리콘 웨이퍼 가장자리의 불필요한 Photoresist를 제거하기 위해 EBR (Edge Bead Removal) 공정에 사용됩니다. 또한 RRC (Resist Reducing Coating) 공정을 통해 Photoresist을 코팅시 Photoresist의 사용량을 줄이는데도 사용됩니다. 동진 신너는 일반 신너에 비해 Photoresist의 사용량을 50% 까지 효과적으로 줄일 수 있으며 Hump height를 감소할 수 있어서 수율을 증대 할 수 있습니다.

CMP 슬러리 (Chemical Mechanical Polishing (CMP) Slurry)

CMP란 Wafer 표면에 Slurry를 공급해 화학적으로 반응시키면서 기계적으로 Wafer 표면을 평탄화시키는 기술입니다. Slurry 종류는 연마대상 막질에 따라 크게 Oxide Slurry와 Metal Slurry로 구분이 되며 Abrasive 종류 및 기능에 따라 세분화 됩니다.

반사방지막 (Bottom Anti-reflective Coating)

반사방지막은 Photoresist를 이용한 회로 형성 공정에서 노광된 빛의 하부 반사 및 산란의 제어를 통해 공정상의 문제점인 Standing Wave, Notching 등을 억제하여 미세회로를 구현할 수 있도록 하는 재료입니다.

하드마스크 (Spin-on-carbon (SOC) Hardmask)

미세회로 형성을 위해 Photoresist Film의 두께가 얇아짐에 따라 Etch 공정에서 Photoresist만으로 Mask 역할의 수행이 어려워, Etch Masking 재료로서 도입된 물질로 차세대 반도체 제조에 필수적인 재료입니다.

프리커서 (Precursors)

초고품질의 박막 증착용 공정인 CVD/ALD의 원료가 되는 물질로, 금속 박막, 금속 및 실리콘의 산화막, 질화막 등을 월등한 step coverage로 증착 가능한 물질입니다.

멜라민 몰드 크리너 (Melamine Mold Cleaner)

반도체 IC, Diode등의 패키지를 충격으로부터 보호하기 위해 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC)가 사용되는데, 이 공정에서 발생된 몰드 표면 상의 이물질(불순물, 탄화물질 등)을 효과적으로 제거하기 위한 멜라민 크리닝 재료 입니다.

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